實驗名稱：方波脈沖電場下聚酰亞胺空間電荷的直接檢測技術(shù)研究

研究方向：聚酰亞胺薄膜因其優(yōu)異的電氣性能，在變頻調(diào)速電機(jī)絕緣系統(tǒng)中得到廣泛應(yīng)用。然而，方波電場極性反轉(zhuǎn)的快速過程（ns-μs級）給直接檢測介質(zhì)內(nèi)部空間電荷帶來挑戰(zhàn)。本文采用電聲脈沖法，通過優(yōu)化系統(tǒng)參數(shù)，實現(xiàn)了方波電場下空間電荷的直接動態(tài)檢測，相位分辨率達(dá)1.79°，并降低了電壓波形失真。研究發(fā)現(xiàn)，未熱處理的聚酰亞胺在直流電場下存在雙載流子注入和深陷阱注入，導(dǎo)致空間電荷長時間積聚。而在方波電場下，空間電荷主要來自下電極鋁板注入的同極性電荷，電壓極性反轉(zhuǎn)時可快速抽出，無明顯積累。熱處理可能破壞聚酰亞胺分子鏈，影響表面形貌并增大高頻段介電常數(shù)，但對耐擊穿性能影響不明顯。熱處理減弱了直流電場下的正極性電荷注入，加速了空間電荷耗散，但對方波電場下的空間電荷分布影響有限。此外，上升沿時間在100μs-1000μs范圍內(nèi)對空間電荷積累量和位置分布基本無影響。

實驗?zāi)康模?/strong>方波脈沖電場下聚酰亞胺空間電荷的直接檢測

測試設(shè)備：函數(shù)發(fā)生器，高壓放大器，高壓高頻脈沖源，分壓器，數(shù)字示波器，計算機(jī)

實驗過程：輸出信號設(shè)置為方波波形時，頻率范圍為1μHz至50MHz，方波上升沿下降沿時間不超過5ns。雙通道函數(shù)發(fā)生器一路輸出頻率和幅值均可調(diào)的任意周期電壓信號，經(jīng)高壓放大器后施加到待測試樣上。高壓放大器最高輸出電壓為20kV,函數(shù)發(fā)生器另一路輸出周期性的TTL時間信號，同時控制高壓高頻脈沖源產(chǎn)生脈沖激勵和觸發(fā)數(shù)字示波器采集。高頻高壓脈沖源也為實驗室自主研發(fā)裝置，設(shè)置為在TTL上升沿時觸發(fā)，每次觸發(fā)輸出一個脈寬可調(diào)（5ns-20ns）的高頻脈沖激勵，脈沖幅值最大可達(dá)2.5kV，重復(fù)頻率最高為3kHz。高壓脈沖經(jīng)保護(hù)電容耦合到被測試樣上，保護(hù)電容的最主要作用是防止高壓放大器輸出傳遞到脈沖源測造成設(shè)備損壞。示波器采用具備大數(shù)據(jù)量保存功能的數(shù)字示波器，也采用TTL上升沿觸發(fā)，這樣就可保證每次脈沖激勵產(chǎn)生的空間電荷信號都能被保存下來。PEA電極系統(tǒng)是由實驗室自主研發(fā)搭建的系統(tǒng)，其中上電極材料為半導(dǎo)電，下電極采用鋁電極。PVDF壓電傳感器將電荷受激振動產(chǎn)生的聲信號轉(zhuǎn)變?yōu)殡娦盘?，通過放大器傳送到示波器進(jìn)行讀取和保存，示波器同時記錄該時刻施加到試樣上的電壓以便后期數(shù)據(jù)處理。

圖1-1：實驗流程框圖

實驗結(jié)果：本文中方波電場頻率fa=50Hz，根據(jù)AEPS原理的特征方程，將脈沖激勵的頻率設(shè)置為fp=2010Hz，則出現(xiàn)檢測相位重復(fù)的最少方波周期數(shù)Na為5，該時間段內(nèi)出現(xiàn)的脈沖數(shù)Np為201，根據(jù)相位分辨率公式(2-4)可知相位分辨率Δ'約為1.79°。通過圖可以更好的說明AEPS的測量原理。方波頻率為50Hz，脈沖激勵頻率為2010Hz，則在一個方波周期里有2010/50=40.2個脈沖激勵，一個方波周期里包含有40個不重復(fù)的脈沖激勵。假設(shè)第一個方波周期開始時脈沖在0°相位位置，那么第41個脈沖信號對應(yīng)的方波相位為41/2010*50*360=367.16°，也即7.16°。從41至80這四十個脈沖信號都對應(yīng)在第二個方波周期里，且與第一個周期里的脈沖對應(yīng)的相位都不重復(fù)。類似的第81個脈沖信號對應(yīng)的相位為5.37°，第121個脈沖信號對應(yīng)的相位為3.58°，第161個脈沖信號對應(yīng)1相位

圖1-2：方波電場下AEPS采集示意圖

產(chǎn)品推薦：ATA-7100高壓放大器

圖：ATA-7100高壓放大器指標(biāo)參數(shù)

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