實驗名稱：基于單端接觸原理的LED外延片無損檢測

　　實驗內(nèi)容：基于單注入模式，使用新型檢測系統(tǒng)獲取LED外延片的電學參數(shù)與光學參數(shù)。

　　研究方向：LED外延片檢測

　　測試設(shè)備：光譜儀、函數(shù)信號發(fā)生器、ATA-2161高壓放大器、顯微鏡及成像系統(tǒng)、示波器、電腦等。

　　實驗過程：

　　圖1：實驗裝置原理圖

　　首先對LED外延片進行光致發(fā)光（PL）測試，通過光譜儀獲取峰值波長。然后，將測試設(shè)備按圖1所示連接完畢后，將待測LED外延片放置在ITO玻璃上，緩慢下降探針，直至LED外延片產(chǎn)生電致發(fā)光現(xiàn)象。通過光譜儀獲取峰值波長，示波器獲取電學參數(shù)。最后，使用傳統(tǒng)的電致發(fā)光（針測）對LED外延片進行測試。在保證光譜儀軟件顯示的相對強度在一致或接近時，獲取LED外延片的電學參數(shù)和光學參數(shù)。

　　實驗結(jié)果：

　　圖2：SC-EL所獲得的光學參數(shù)與針測所獲得的光學參數(shù)

　　圖3：SC-EL所獲得的光學參數(shù)與針測所獲得的光學參數(shù)

　　由于針測獲得的數(shù)據(jù)具有可靠性，因此將其作為標準值來比較PL測試與單端接觸電致發(fā)光（SC-EL）測試所獲得數(shù)據(jù)的準確性。實驗結(jié)果表明，SC-EL所獲得的光學參數(shù)與針測所獲得的光學參數(shù)更加接近并且不會對LED外延片造成機械性損傷（如圖2、圖3所示）。此外，SC-EL所獲取的電學參數(shù)與針測所獲取的電學參數(shù)（反向漏電流）具有同樣的趨勢，可以反映針測所獲取數(shù)據(jù)的水平（如圖4所示）。

　　圖4：針測所獲取數(shù)據(jù)的水平

　　高壓放大器推薦：ATA-2161

　　圖：ATA-2161高壓放大器指標參數(shù)

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